[過去ﾛｸﾞ] 【ノーベル賞】中村修二教授「軍の予算を得るために米国籍に」「受賞は日本人として誇らしく思っている」★2 (1007ﾚｽ)
上下前次1-新
このｽﾚｯﾄﾞは過去ﾛｸﾞ倉庫に格納されています｡
次ｽﾚ検索 歴削→次ｽﾚ 栞削→次ｽﾚ 過去ﾛｸﾞﾒﾆｭｰ
477(1): 名無しさん＠０新周年＠＼(^o^)／ 2014/10/08(水)18:15 ID:qeP9Nl5Y0.net(11/14) AAS
【特許番号】第２６２８４０４号
加熱された基板の表面に、基板に対して平行ないし傾斜する方向と、基板に対して実質的に垂直な方向からガスを供給して、加熱された基板の表面に半導体結晶膜を成長させる方法において、
基板の表面に平行ないし傾斜する方向には反応ガスを供給し、基板の表面に対して実質的に垂直な方向には、反応ガスを含まない不活性ガスの押圧ガスを供給し、
不活性ガスである押圧ガスが、基板の表面に平行ないし傾斜する方向に供給される反応ガスを基板表面に吹き付ける方向に方向を変更させて、
半導体結晶膜を成長させることを特徴とする半導体結晶膜の成長方法。
ノーベル賞っすかねぇ。
上下前次1-新書関写板覧索設栞歴
あと 530 ﾚｽあります
ｽﾚ情報 赤ﾚｽ抽出 画像ﾚｽ抽出 歴の未読ｽﾚ AAｻﾑﾈｲﾙ
ぬこの手 ぬこTOP 0.942s*