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【ノーベル賞】中村修二教授「軍の予算を得るために米国籍に」「受賞は日本人として誇らしく思っている」★2 (1007レス)
【ノーベル賞】中村修二教授「軍の予算を得るために米国籍に」「受賞は日本人として誇らしく思っている」★2 http://ai.2ch.sc/test/read.cgi/newsplus/1412727876/
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730: 名無しさん@0新周年@\(^o^)/ [] 2014/10/09(木) 06:36:09.33 ID:eiao9sL30.net 青色発光ダイオード界の佐村河内 2人の研究者が発見したp型化 ところが,三つの要素技術の中で当時最も難しいと考えられていたのは,GaN単結晶のp型化だった。 赤崎氏のグループが電子線照射によるp型化を発表していたが,他の研究者が追試しても簡単には再現 できない状況にあったからだ。この難易度の高いp型化を日亜化学工業で実現したのは, 中村氏ではなく,妹尾氏と岩佐氏である。 入社2年目の1991年,妹尾氏は研究目標としてp型化を掲げる。「自発的なもので,中村氏に命じられたものではない」(同氏)。 走査型電子顕微鏡を使って電子線を照射したり,化学処理したりするがすべて失敗する。そしてある時, 「電子ビーム蒸着装置」の電子銃を使うことを思い付いて実行すると,強力な電子線で割れた, MgをドープしたGaN単結晶のサンプルがp型化を示していた。 その後,妹尾氏は再現性の実験を繰り返す。確証を得たら中村氏に知らせるつもりだった。 ところが,3日ほどたった時に中村氏に見つかり,黙っていたことを怒られたという。 2人はこの実験を基に専用の電子線照射装置を外注し,1991年11月に受領した。 だが,結局この電子線照射装置を同社が量産工程で使うことはなかった。1991年に入社した岩佐氏が, わずか6カ月後の同年9月末に,加熱処理によるGaN単結晶のp型化(アニールp型化現象)を偶然発見したからだ。 この方が量産性に優れていた。 薄いサファイア基板にGaN単結晶を製膜すると熱膨張の差で反りが発生する。岩佐氏はそれを抑えるために, サファイア基板に液状酸化ケイ素を塗布し,焼き固めることで反りを強制的に抑える方法を試した。 そのうち,「加熱すると結晶の質が変わるのではないか」と考えた同氏は,p型GaN単結晶を加熱してみることにした。 すると,MgをドープしたGaN単結晶は400℃ほどでp型からn型に変化するが,さらに温度を上げて600℃以上にすると 再びp型化することを発見した。この実験を基に「加熱処理だけでp型化できる」と推測した岩佐氏は中村氏に報告する。 ところが中村氏は全く信用しなかったため,岩佐氏は再実験して確認した後,報告し直したという。 その時にも「そんなはずがない。間違っているだろう」と中村氏に否定されるが, 岩佐氏が自信に満ちた態度で断言すると,中村氏は自ら確認実験を行った。 このアニールp型化現象を発見する上で岩佐氏は「中村氏から全く指示は受けていない。 入社間もなくてほとんど口を利いてくれなかったほど」と証言する。 後に中村氏は,妹尾氏や岩佐氏が実現もしくは発見したp型化現象を,理論を後付けした上で誰にも知らせずに, 妹尾氏や岩佐氏と連名の論文として発表する。筆頭者(ファーストオーサー)は中村氏だった。 http://techon.nikkeibp.co.jp/NEWS/nakamura/mono200406_3.html > 後に中村氏は, 妹 尾 氏 や 岩 佐 氏 が 実 現 も し く は 発 見 し た p型化現象を, ^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^ > 理論を後付けした上で 誰 に も 知 ら せ ず に , 妹尾氏や岩佐氏と連名の論文として発表する。 ^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^ > 筆 頭 者 (ファーストオーサー) は 中 村 氏 だ っ た 。 ^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^ http://ai.2ch.sc/test/read.cgi/newsplus/1412727876/730
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