[過去ログ] 【企業】東芝、成毛副社長が退任 メモリ社長に専念 (20レス)
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11: 2018/05/24(木)12:46 ID:1oxm6DtP(1) AAS
髪がフサフサなイメージ
12: 2018/05/24(木)12:56 ID:J/VRjVjj(1) AAS
AA省
13: 2018/05/24(木)15:57 ID:2xjrjL5c(1) AAS
予想通りの流れただな。w
14: 2018/05/24(木)17:11 ID:Go+4lcPq(1) AAS
>>7 それは元MSKK社長
15: 2018/05/24(木)17:25 ID:pna64kT2(1) AAS
価格低下するNAND市況の中、中国がサムスンから盗んだ3D NAND技術で製造開始予定が2019、今後もフラッシュメモリは必要とはされるが、先行き厳しそうな環境で如何に工場に設備投資させてもらうかが成毛社長の腕の見せ所ですな。
16: 2018/05/24(木)18:02 ID:JTv3anKX(1) AAS
次世代メモリはSTT MRAMが最有力か?
既存の、高速だが不揮発性ではないDRAMや不揮発性だが低速のNAND型フラッシュメモリ
に代わる次世代高速不揮発性メモリにはFeRAM(高誘電体メモリ)、ReRAM(抵抗変化型メモリ)、
PRAM(またはPCRAM:相変化型メモリ)、MRAM(磁気メモリ)などいろいろな候補があり、
研究開発が続行しているが、IC KnowledgeはMRAMのなかでもSTT MRAM(Spin Transfer
Torque Magnetic Random Access Memory:スピン注入型磁気メモリ)が最有力とみている。
STT MRAMは、電子のスピンによって生じる磁気モーメントを利用して磁性体の磁化の
向きを変える。あとはMRAMの原理と同じで、磁化の向きを電気抵抗の違いに変換することで
データを記録する。従来の磁界書き込み型MRAMに比べて微細化に向いており、
低コスト化、大容量化の潜在的可能性がある。
省2
17: 2018/05/24(木)22:11 ID:aFatJhFb(1) AAS
>>1
東芝メモリを日本に残して、本体を売却した方がいいんじゃないか?
18: 2018/05/25(金)12:28 ID:Ug/Skuzz(1) AAS
成毛眞いつのまに東芝に
と思ったら違った
19: 2018/05/26(土)06:17 ID:YtxJG57Z(1) AAS
■ 私は東芝本社の正社員でした
【利益は】東芝の裏事情49【メモリのみ】
2chスレ:company
646 :名無しさん:2015/05/29(金) 11:43:52.53 ID:oP/lxMEM0
この会社は6年勤めて退職金10万だったな
入社転職される方は、ご自分のことだけでなく
ご家族のことも考えて
思いとどまることをおすすめします。
キャリヤを積んで転職もできません
使いつぶすだけなんで、過去の経験を吸い取られるだけです
省12
20: 2018/05/26(土)11:14 ID:Kwvg8OW6(1) AAS
NANDはいつまでも続かない
次のNANDの代わりとなる次世代の製品を生み出せるか否か
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