[過去ﾛｸﾞ] 【企業】東芝、成毛副社長が退任 メモリ社長に専念 (20ﾚｽ)
上下前次1-新
抽出解除 必死ﾁｪｯｶｰ(本家) (べ) ﾚｽ栞 あぼーん
このｽﾚｯﾄﾞは過去ﾛｸﾞ倉庫に格納されています｡
次ｽﾚ検索 歴削→次ｽﾚ 栞削→次ｽﾚ 過去ﾛｸﾞﾒﾆｭｰ
16: 2018/05/24(木)18:02 ID:JTv3anKX(1) AAS
次世代メモリはSTT MRAMが最有力か？
既存の、高速だが不揮発性ではないDRAMや不揮発性だが低速のNAND型フラッシュメモリ
に代わる次世代高速不揮発性メモリにはFeRAM(高誘電体メモリ)、ReRAM(抵抗変化型メモリ)、
PRAM(またはPCRAM:相変化型メモリ)、MRAM(磁気メモリ)などいろいろな候補があり、
研究開発が続行しているが、IC KnowledgeはMRAMのなかでもSTT MRAM(Spin Transfer
Torque Magnetic Random Access Memory:スピン注入型磁気メモリ)が最有力とみている。
STT MRAMは、電子のスピンによって生じる磁気モーメントを利用して磁性体の磁化の
向きを変える。あとはMRAMの原理と同じで、磁化の向きを電気抵抗の違いに変換することで
データを記録する。従来の磁界書き込み型MRAMに比べて微細化に向いており、
低コスト化、大容量化の潜在的可能性がある。
省2
上下前次1-新書関写板覧索設栞歴
ｽﾚ情報 赤ﾚｽ抽出 画像ﾚｽ抽出 歴の未読ｽﾚ AAｻﾑﾈｲﾙ
ぬこの手 ぬこTOP 0.005s