半導体メモリー大手キオクシアHD、12月中旬に上場へ 時価総額7500億円規模 [朝一から閉店までφ★] (71ﾚｽ)
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67: 2024/12/26(木)00:22 ID:4WvkR2TY(1/4) AAS
ラピダスが日本半導体を再び世界一へ導く当然の理由。2ナノ半導体“新技術”で成功、協力企業も続々＝勝又壽良
これは、ラピダスが最先端半導体製法で世界トップに踊り出たことを意味する。
しかも、ラピダスは半導体製造過程の「前工程」と「後工程」の全自動化にも世界で初めて成功している。
これによって、納期は66％も短縮化できる見通しまでついている。
ラピダスの技術開発過程をつぶさに把握すれば、ラピダス批判は的外れであることが分るであろう。
68(1): 2024/12/26(木)00:28 ID:4WvkR2TY(2/4) AAS
世界の半導体ファンドリー事業（受託生産）で、
6割のシェアを持つ台湾TSMCと1割シェアの韓国サムスンは、それぞれ独自のGAA特許を持っている。
だが、製品化する新技術を確立していないのだ。そこでやむをえず、従来のFinFET技術を採用している。
ラピダスが、確立したSLR技術とはどれだけの差があるのかみておきたい。
69: 2024/12/26(木)00:30 ID:4WvkR2TY(3/4) AAS
1. FinFETは、「2ナノ」半導体以下で高性能の実現が難しい
2. FinFETは、低い消費電力で作動しないので、モバイルデバイスやIoTデバイスなどの省電力が困難である
3. FinFETは、製造プロセスが比較的単純なので、複雑な構造の半導体製造に向かない
70: 2024/12/26(木)00:31 ID:4WvkR2TY(4/4) AAS
上記の3点をみれば、FinFETが今後のさらなる微細化する最先端半導体製造で多くの限界点を抱えている。
ラピダスは、この限界をSLR技術で見事に突破したのだ。
ここで、半導体技術開発の歴史的エピソードを取り上げたい。
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