[過去ﾛｸﾞ] (強いAI)技術的特異点/シンギュラリティ153 (1002ﾚｽ)
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92(1): 2019/03/08(金)16:57 ID:0bOeY+od(1) AAS
Samsung、埋め込みフラッシュを置き換える磁気抵抗メモリ「eMRAM」の量産を開始
外部ﾘﾝｸ[html]:pc.watch.impress.co.jp
eFlash比で約1,000倍高速な書き込み速度を実現しており、より低電圧で動作し、かつ電源オフ時に電力を消費しないため、電力効率が大幅に向上できるという。
また、わずかなレイヤーを追加するだけで実装できるため、既存技術との容易な統合を謳う。
同社では、2019年内に1GbのeMRAMテストチップをテープアウトする予定で、18nmのFD-SOIプロセスへと将来的に拡張する見込みであるとしている。
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