[過去ﾛｸﾞ] (強いAI)技術的特異点/シンギュラリティ156 (1002ﾚｽ)
上下前次1-新
このｽﾚｯﾄﾞは過去ﾛｸﾞ倉庫に格納されています｡
次ｽﾚ検索 歴削→次ｽﾚ 栞削→次ｽﾚ 過去ﾛｸﾞﾒﾆｭｰ
634: 2019/04/13(土)02:27 ID:pUbE22QL(1) AAS
■ムーアの法則の終焉、遠のく - imecら、
EUVへの逐次浸透合成法の適用に成功
EUVリソグラフィ後にSISを適用することにより、
フォトレジストパターンのラフネスやウェハ表面に
確率的に存在するナノ欠陥を削減することができ、
将来の超微細パターン形成にEUVが適用できる
めどが立ったとしている
SISは、自己組織化リソグラフィ
(Directed Self-Assembly:DSA)にて
すでに利用されているが、imecは今回、EUV装置を用いた
微細パターン形成プロセスにSISを適用し、
フォトレジストに無機元素を浸透させることで、
従来以上に硬化させることに成功、
パターニング性能を向上させたという
今回、imecと開発パートナーであるASMおよびASMLは、
EUVL-SISと標準的なEUVLパターニングプロセスを比較し、
パターンのラフネス、ナノ欠陥が緩和されていること、
ならびに局所バラつきに関するSISの有用性を検証
TiN膜へのパターン転写に際して
SISステップを追加することで、SISなしプロセスと比較して、
局所的なクリティカルディメンジョン均一性
(Local Critical Dimension Uniformity:LCDU)について60%、
ラインエッジラフネスについて10%の改善が確認されたという
また、ナノブレイク(典型的な確率的に存在するナノ欠陥)の数は、
少なくとも1桁の減少を確認したほか、ロジックチップの
不良率が20%減少したとも報告している
これにより3nmおよびその先への微細化に進む道が開けた
上下前次1-新書関写板覧索設栞歴
あと 368 ﾚｽあります
ｽﾚ情報 赤ﾚｽ抽出 画像ﾚｽ抽出 歴の未読ｽﾚ AAｻﾑﾈｲﾙ
ぬこの手 ぬこTOP 0.011s