[過去ﾛｸﾞ] Athlon64 ﾎﾓﾖﾘ(；ﾟДﾟ)ﾍﾃﾛ AMD雑談スレ365都市 (880ﾚｽ)
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26: 2006/12/22(金)10:38 ID:ZhvNDRm3(1/3) AAS
AA省
27: 2006/12/22(金)10:38 ID:ZhvNDRm3(2/3) AAS
Athlon64 頑張ﾚ`・ω)oお嬢VIA AMD雑談スレ364都市
2chｽﾚ:jisaku
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うさだ萌え、うさだのホモダチ、うさだ回収係
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28: ひみつの検疫さん 2016/06/04(土)19:57 ID:MarkedRes(1) AAS
汚染を除去しました。
29: 2006/12/22(金)10:39 ID:ZhvNDRm3(3/3) AAS
30: 2006/12/22(金)10:40 ID:/csgwJhf(2/2) AAS
AnandTech: AMD's 65nm Brisbane Core Previewed: The most energy efficient AMD CPU to date
外部ﾘﾝｸ[aspx]:www.anandtech.com
AnandTech: AMD's 65nm Preview Part 2 - The Plot Thickens (Updated with Information from AMD)
外部ﾘﾝｸ[aspx]:www.anandtech.com
一週間前に既出のベンチで、なに今頃騒いでんの？
> 実際のアプリにはそれほど影響はない から90nmと差が出なくて、
誰もパフォーマンスが下がったなんて言わなかった。
つか荒らしだったのか・・
31: 2006/12/22(金)11:23 ID:UHR5KgQ8(2/3) AAS
Anandtechでのベンチ結果は、大抵が誤差程度だったから、誰も深く考えなかっただけじゃん。
とはいえ、ゲーム系のベンチでは、90nmの方優位で、HalfLife2では、クロックが下の90nmの4600+EEにすら
負けているから、不可解に思って、調べてみたら、メモリやL2のレイテンシが増大していたことがわかったってだけだろう。
あとは、もっと比較のベンチ結果がでないと、大した差はないのか、1ランク下並の性能のを高く買わされるのか、
わからないんじゃないの？
32(1): 2006/12/22(金)11:31 ID:rdm8WIDr(1/2) AAS
流石に月末の週末ともなると、淫工作員が活発になるなぁｗ
ただ、余りにも活動がパターン化され過ぎてて、もう効果ないよ。
中の人、バイトか有志か知らんけど、そろそろ新しいパターン考えてねｗ
33: 2006/12/22(金)11:42 ID:irijjLhE(1) AAS
最適化が進めばクロックは上がってくるだろうけど……。
34(1): 2006/12/22(金)11:47 ID:D4hqabAY(2/4) AAS
予測だが恐らく15％は性能低下してる
35(1): 2006/12/22(金)11:47 ID:y/YjccMx(2/9) AAS
>>32
え？
65nmが出れば･･･
って毎日のようにレスしてたのは君じゃないの？ｗ
36: 2006/12/22(金)11:48 ID:y/YjccMx(3/9) AAS
Core2は65nmで、今のX2は90nmだから比較するのは間違っている！
って言い続けていたのはここの住人たちだったと思うけど…はぁ
37: 2006/12/22(金)11:50 ID:y/YjccMx(4/9) AAS
>>34
プレスコットが出たときを彷彿とさせるね
38(1): 2006/12/22(金)11:55 ID:UHR5KgQ8(3/3) AAS
65nmが出れば性能上がるって期待されてたのは、今年の前半じゃない？
K8Lの拡張を一部先取りするって話は5月に否定されて、単なるシュリンクかってことで、K8Lまで
性能向上はなしって思われていたはず。下がるとは誰も思わなかったと思うけど。
65nmになればってのは、65nm世代の設計に合わせられたK8Lが出ればってことを言ってたんじゃないかって
好意的に解釈w
39(1): 2006/12/22(金)11:58 ID:XOPUw0r3(1/4) AAS
ID:y/YjccMxをあぼーん、と。
40(1): 2006/12/22(金)11:59 ID:y/YjccMx(5/9) AAS
>>38
昨年のAMDとIBMは自身満々だったねぇ…
半年先は闇…K8Lもあぶないかもね
外部ﾘﾝｸ[htm]:pc.watch.impress.co.jp
両社が共同開発した65nmプロセス技術は、SOI(Silicon-On-Insulator)ウェハ上で、Dual Stress LinerおよびStress Memorization技術と呼ばれる歪み技術を用い、
シリコン素材にembeddedシリコンゲルマニウム(e-SiGe)を使用。
これにより、歪み技術を用いないチップに対して、消費電力と発熱を抑えつつ、40%のトランジスタ性能向上を実現した。また、このプロセス技術では、
lower-kと呼ばれる低誘電層間絶縁膜も採用されている。
41: 2006/12/22(金)12:00 ID:/ECKZyB/(1) AAS
↑時報荒らし乙↓
42(2): 2006/12/22(金)12:00 ID:UFiqw6t/(1) AAS
AA省
43(2): ｽｼﾞｬｰﾀの中の人 ◆sUJahTaAls 2006/12/22(金)12:00 ID:r6Jw9Bed(1) AAS
AA省
44: 2006/12/22(金)12:01 ID:PBUjkFCG(3/7) AAS
>>39のようなアホ信者がわらわす
耳が痛い情報は耳をふさぐのがいいねｗ
45: 2006/12/22(金)12:02 ID:DBYOyEHS(1/4) AAS
>>43
君は本当に面白い。今後も続けてくれたまえｗ
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