【Flash】SSD Part165【SLC/MLC/TLC】

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134: Socket774 [] 2014/06/13(金) 21:36:44.73 ID:3lGUT4L7

上でもあるが、

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中大、データの1000年記憶を目指してSSDのエラーを80%低減する技術を開発

中央大学(中大)は6月13日、データの長期保存を目指して、フラッシュメモリを
記憶媒体とするSSDのエラーを80%低減する技術を開発したと発表した。

同成果は、同大 理工学部の竹内健教授によるもの。詳細は、6月10～12日(現地時間)に
ハワイにて開催される「2014 VLSI Technology シンポジウム」で発表される。

インターネットの発達で音楽、映像、文書などのデジタルデータが急増している。
しかし、データを100年、1000年先まで長期保存するメモリ技術は確立されていない。

従来は1つのメモリセルに記憶する状態の数を増加させると信頼性が劣化し、
信頼性を確保するには強力な誤り訂正回路が必要だった。
しかし、誤り訂正システムを強化すると、冗長なメモリ領域が必要になり、コストが増大しまうという問題があった。
今回の研究では、長期保存に向けて3ビット(8値)セルのうち、7個の状態に記憶する手法であるnLCセル方式を提案した。

同技術により、メモリのエラーを80%低減し、100年、1000年といった長期の記憶に対して、
大容量と高い信頼性を両立させる可能性を示した。実験では約1年の実測結果から、100年後、
1000年後のメモリの不良率を予測したという。

また、企業向けサーバのような、データを頻繁に書き換える応用製品に対しても、
適応制御型の信号変調方法を提案し、メモリのエラーを50%削減することに成功したとしている。

これらの技術により、SSDはスマートフォンやPCだけでなく、企業向けサーバ、
クラウドデータセンターや100年、1000年といった長期にデータを保存する
デジタルアーカイブなど幅広い分野への応用が期待されると説明している。

ttp://news.mynavi.jp/news/2014/06/13/536/images/001l.jpg
提案された長期保存メモリに向けたnLC技術。メモリセルに記憶する状態の数を最適な値に設定することで、長期保存を可能にする

ttp://news.mynavi.jp/news/2014/06/13/536/images/002l.jpg
提案されたSSDの信頼性。提案手法である7LCによってメモリの不良率(BER)は80%低減し、100年以上の長期記憶が可能な見込み

http://news.mynavi.jp/news/2014/06/13/536/

http://anago.5ch.net/test/read.cgi/jisaku/1401808338/134

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