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【Flash】SSD Part167【SLC/MLC/TLC】 (1001ﾚｽ)
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24
: 2014/07/09(水)10:52
ID:hKnGkVKi(1)
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24: [] 2014/07/09(水) 10:52:51.08 ID:hKnGkVKi サムスン、V-NAND採用モデルを含む新世代SSDを発表、データセンター向けSSDも刷新 http://it.impressbm.co.jp/articles/-/11529 一方、エンタープライズ／データセンター向けのSamsung SSD 845 DC EVOは、 正式に発表されたのは2014年6月だが、今回のイベントで、850Proと共に詳細な説明が行われた。 845 DC EVOでは容量としては240GB/480GB/960GBの3タイプが用意される。 採用されたフラッシュデバイスはV-NANDではなく、従来のNANDフラッシュで、 1セルに充電した電圧を8段階で区別し、3ビットを記録するTLC（Triple Level Cell）となる。 データセンターでの利用を想定した設計であり、コンシューマー向け製品よりも耐久性能や保証データ転送量などが向上／拡大している。 サムスン電子によれば、データセンターなど、サーバーとして使われる外部記憶装置には、 読み出しが中心になる利用（Read-Intensive）と、読み書きが均等になる利用という大きく2つのパターンがあり、 例えばWebサーバーなどでは読み出しが中心になる使い方になるという。 845 DC EVOは、こうしたRead-intensiveな利用を想定して作られており、 順次読み出しで最大530MB/s、ランダム読み出しで8万7,000IOPSを実現している。 また、耐久性を示すTBWは、保証値として600TBWとなっている。 http://it.impressbm.co.jp/mwimgs/b/e/400/img_beadc22d6ccb5e0ad6d570bb0474168d191426.jpg http://anago.5ch.net/test/read.cgi/jisaku/1404794267/24
サムスン採用モデルを含む新世代を発表データセンター向けも刷新 一方エンタープライズデータセンター向けの は 正式に発表されたのは年月だが今回のイベントでと共に詳細な説明が行われた では容量としてはのタイプが用意される 採用されたフラッシュデバイスはではなく従来のフラッシュで セルに充電した電圧を段階で区別しビットを記録する となる データセンターでの利用を想定した設計でありコンシューマー向け製品よりも耐久性能や保証データ転送量などが向上拡大している サムスン電子によればデータセンターなどサーバーとして使われる外部記憶装置には 読み出しが中心になる利用と読み書きが均等になる利用という大きくつのパターンがあり 例えばサーバーなどでは読み出しが中心になる使い方になるという はこうしたな利用を想定して作られており 順次読み出しで最大ランダム読み出しで万を実現している また耐久性を示すは保証値としてとなっている
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