[過去ログ] 【Flash】SSD Part179【SLC/MLC/TLC】 [転載禁止]©2ch.net (1002レス)
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861: 2015/11/09(月)01:37 ID:LCy/Qa3/(1/3) AAS
>>853を少し訂正
Write Acceleration Index
WAI={WAF、想定する予備領域(+空き容量)、内部処理(GC等)で増える書込量}をもとに算出

WAIはSamsungの用語っぽいけど、IntelやMicronもほぼ同じ計算式でTBWを決めていると思う
算出方法はメーカー毎に異なるようなので正確にTBWを求めるのは不可能

また、Micronは空き容量10%でWAIを決めているので訂正(M600の公称TBWは空き容量10%の結果だった)
空き容量0%だとTBW 約1/3に減るようだ
Micron:OP20% TBW 約2倍/OP45% TBW 約3.3倍
874
(1): 2015/11/09(月)16:38 ID:LCy/Qa3/(2/3) AAS
M600のpdfでMicron 16nm MLCのP/Eサイクルが大体わかったので(予想)
データ計算してみた あくまで参考程度に
寿命(NAND Writes)まで書き込んだ時点でデータ保持期間は1年@30℃

メーカー公称のTBWはほぼ最悪値
MX200 空き容量=0%/M600 空き容量=10%の状態でTBWを決めていると思われる
そこで、実環境のWAI(≒WAF)を当てはめることで実用上のTBWを予想できる
例えば、WAI=2.0〜3.0ならTBW=約350〜500TB(Host Writes)

NW645(128Gb)P/E=4000
NW656(256Gb)P/E=4000
NW662(512Gb)P/E=3000
省10
876: 2015/11/09(月)18:11 ID:LCy/Qa3/(3/3) AAS
>>875
NANDの容量 256GiB=256*2^30
SSDの容量 256GB=256*10^9

OPとは別に、この容量の差を不良ブロックの代替領域に使ってる
だからこれとOPを足せば7%以上になる
ただし、代替領域は歩留まり改善のために出荷時で既に減っているから個体差あり
(エンプラSSDのみ、出荷時の代替領域100%を保証)
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