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5: 2015/03/01(日)18:26 ID:??? AAS
関東学院大、銅メッキ速度約４０倍−半導体回路、形成速度削減
掲載日 2014年02月03日日刊工業新聞
【横浜】関東学院大学の本間英夫名誉教授らは基板（１センチ×２センチメートル角）の銅メッキ被膜で、
析出速度が従来方法に比べ約４０倍となる１分間当たり厚さ４０マイクロメートルの新手法を実用化した。
新手法は添加剤の配合比率を見直したほか、メッキ液の噴流を均一にする独自装置を採用し、電流密度を従来の最大５アンぺアから同２００アンぺアに高めて実現した。
ＩＧＢＴに代表されるパワー半導体で、セラミックス基板上に銅回路板を直接接合したＤＢＣ基板に活用した場合、コストを約３割低減。
半導体チップを積層する３Ｄ実装技術「シリコン貫通電極（ＴＳＶ）」の生産のコスト削減にもつながる。
銅の析出速度を上げる場合、メッキ浴の温度を高くする必要がある。しかし、温度を上げると、光沢や反応促進のための添加剤が自然分解するといった課題があった。
本間教授らは配合を見直し、浴温２５度Ｃでも析出できるようにした。
噴流装置は山本鍍金試験機（東京都渋谷区）が製作した。メッキ浴の流れを一定に保ち、高速で液を吹き付ける。これにより、メッキ厚の均一化と析出の高速化を両立した。
光沢性の高い銅膜を析出できる。基板を１８０度折り曲げても割れが発生しない。
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