[過去ﾛｸﾞ] (強いAI)技.術的特.異点/シ.ンギュラリティ158 (1002ﾚｽ)
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684: 2019/05/20(月)20:56 ID:bGXQHBFD(1) AAS
薬品処理と低温加熱だけでダイヤモンド基板の原子レベルの接合を可能に
−ダイヤモンドを用いたパワー半導体の実現を推し進め、省エネルギー社会に貢献−
電力の制御・供給を担うパワー半導体の分野では、
高効率化・高出力化やモジュールの小型軽量化のために
Siよりも優れた物性の新材料が注目されている。
特にダイヤモンドはSiの15倍(炭化ケイ素(SiC)の4倍・
窒化ガリウム(GaN)の16倍・銅(Cu)の5倍)の熱伝導率や、
Siの60倍(SiCの3倍・GaNの10倍)の絶縁破壊電界といった優れた物性から、
パワー半導体の「究極の材料」と期待されている。
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