[過去ﾛｸﾞ] Intelの次世代技術について語ろう 134 (1002ﾚｽ)
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532: 警備員[Lv.4][新芽] 2024/12/15(日)16:37 ID:CR1AiNrX(1/2) AAS
>>529
なるほどIanの計算前提が間違っているわけね
(たぶんIanは80%yield&D0=3.5の出所を示しただけかな)
タイミングとしては実テストチップをばんばん作っている所だから、イールド80%の方が信憑性が高いと仮定して
269の計算で、256MbSRAMテストチップ@N2サイズ毎(超適当)にイールド80%になるようにD0を逆算すると
20mm2→D0~1.1
25mm2→D0~0.9
30mm2→D0~0.75
36mm2→D0~0.6
42mm2→D0~0.53
省1
533: 警備員[Lv.4][新芽] 2024/12/15(日)16:43 ID:CR1AiNrX(2/2) AAS
>>273でパットに報告が上がっていた D0@18A < 0.4が256MbSRAMテストチップの話ならTSMC対比で相当良い数字なので
>>525のようにトップへの報告が疑われている、と言う話か
そりゃパット辞めるわ
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